Длительность и температура травления

Длительность и температура травления

При одних и тех же условиях травления микрорельеф появлялся прежде всего на углеродной стороне кристаллов, причем раньше на шлифованной, чем на естественной. Геометрия бугорков и ямок травления для всех кристаллов a-SiC подобна. Величина бугорков травления зависит от чистоты кристаллов, длительности и температуры травления.

Среди исследованных нами кристаллов a-SiC, таких как кристаллы особой чистоты, обычные технические зеленые и черные, специально легированные алюминием и бором, в последних величина бугорков наибольшая при одинаковых условиях травления. Они представляют собой правильные пирамидальные шестигранники, поверхности которых составлены маленькими бугорками.

Они представляют собой правильные пирамидальные шестигранники, поверхности которых составлены маленькими бугорками. В плоскости монокристаллов a-SiC, параллельной оси (0001), происходило образование бугорков, геометрия которых отличалась от геометрии элементов микрорельефа, образующегося на базисных плоскостях.

Для монокристаллов P-SiC на углеродной стороне наблюдались бугорки иной морфологии, чем на той же стороне a-SiC; на кремниевой стороне (5-SiC) формировались такие же ямки, как и для той же стороны a-SiC.

1 звезда2 звезды3 звезды4 звезды5 звезд (Еще не оценили)
Загрузка ... Загрузка ...

Оставить комментарий

Почта (не публикуется) Обязательные поля помечены *

Вы можете использовать эти HTML теги и атрибуты: <a href="" title=""> <abbr title=""> <acronym title=""> <b> <blockquote cite=""> <cite> <code> <del datetime=""> <em> <i> <q cite=""> <strike> <strong>

Подтвердите, что Вы не бот — выберите человечка с поднятой рукой: