Полунепрерывный способ выращивания монокристаллов карбида кремния

Полунепрерывный способ выращивания монокристаллов карбида кремния

Авторы выражают благодарность В. А. Кравец и К. В. Назаренко за проведение рентгеноструктурного анализа на специально отобранной партии образцов технического карбида кремния, а также Л. В Кальной и Т В Жестковой за приготовление образцов и помощь в работе. Полунепрерывный способ выращивания монокристаллов карбида кремния методом сублимации. Наиболее распространенным методом выращивания пластинчатых кристаллов a-SiC с поперечными размерами порядка десятка миллиметров является метод Лели. Наиболее распространенным методом выращивания пластинчатых кристаллов a-SiC с поперечными размерами порядка десятка миллиметров является метод Лели. По этому методу графитовый тигель с шихтой из поликристаллического карбида кремния нагревают до температур 2400 — 2600° С. Поскольку высокие температуры зоны роста монокристаллов требуют наличия тепловых экранов (обычно графитовая крупка, графитовый войлок, сажа) на нагревание и охлаждение печи требуется значительное время, достигающее 40 — 50% общего времени процесса, представляет интерес разработка непрерывного процесса, в котором время на нагрев и охлаждение печи были бы значительно снижены.

В обычном варианте проведения процесса тигель вводят в открытую печь при комнатной температуре.

Если вам нужен оригинальный проект котельной для частного дома, обращайтесь в компанию http://арт-инжиниринг.рф/services/proektirovanie-v-obyeme-postanovleniya-87 . Опытные специалисты помогут провести проектировку и установку котельной.

1 звезда2 звезды3 звезды4 звезды5 звезд (Еще не оценили)
Загрузка ... Загрузка ...

Оставить комментарий

Почта (не публикуется) Обязательные поля помечены *

Вы можете использовать эти HTML теги и атрибуты: <a href="" title=""> <abbr title=""> <acronym title=""> <b> <blockquote cite=""> <cite> <code> <del datetime=""> <em> <i> <q cite=""> <strike> <strong>

Подтвердите, что Вы не бот — выберите человечка с поднятой рукой: