Требования к техническим монокристаллам

Требования к техническим монокристаллам

Поэтому направление работ по эпитаксиальному выращиванию слоев карбида кремния на подложках из монокристаллов карбида кремния наиболее перспективно. Однако в связи с высокой стоимостью, недостаточным объемом выпуска и малыми площадями монокристаллов карбида кремния, которые выпускаются серийно, в настоящее время не рационально применение их в качестве подложек, технические требования к ним могут быть менее высокими, чем требования к полупроводниковым материалам. В связи с этим были выработаны предварительные требования к техническим монокристаллам, пригодным для подложек в производстве некоторых типов единичных и матричных светодиодов.

Технические монокристаллы карбида кремния были получены и отобраны из промышленных печей, производящих карборунд по методу Ачесона, а также получены в специальных контейнерах на базе промышленных печей (на Запорожском абразивном комбинате и Волжском абразивном заводе). На партии технических монокристаллов в количестве 3000 штук проводили статистический анализ на соответствие их параметров, измеренных по методикам, принятым для серийно выпускаемых полупроводниковых монокристаллов, основным пунктам выработанных технических требований. На партии технических монокристаллов в количестве 3000 штук проводили статистический анализ на соответствие их параметров, измеренных по методикам, принятым для серийно выпускаемых полупроводниковых монокристаллов, основным пунктам выработанных технических требований.

1 звезда2 звезды3 звезды4 звезды5 звезд (Еще не оценили)
Загрузка ... Загрузка ...

Оставить комментарий

Почта (не публикуется) Обязательные поля помечены *

Вы можете использовать эти HTML теги и атрибуты: <a href="" title=""> <abbr title=""> <acronym title=""> <b> <blockquote cite=""> <cite> <code> <del datetime=""> <em> <i> <q cite=""> <strike> <strong>

Подтвердите, что Вы не бот — выберите человечка с поднятой рукой: